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2023-01-17 13:04:02  万金五金网

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晶圆厂投资骤减,半导体“寒冬”是否来临。从制程工艺、3D封装、人工智能、5G等几个维度来解析英特尔的创新之路。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN,其中SiC的发展更早一些。

功率半导体围绕着硅(Si)发展了半个世纪,一直在BV和Ron之间博弈,也是一个功率器件最基本的门槛。这两个参数一个决定了器件的极限(BV)一个决定了器件的性能(Ron),这就如同鱼和熊掌不可兼得。理论上只要这两道环设计的好,都能使得器件的击穿电压达到理想的PN结击穿电压。

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